三星砸巨资巩固芯片工艺优势

    三星集团日前宣布将投资8.5万亿韩元(69.8亿美元)扩充现有10nm工艺产能，并为明年的7nm准备基础建设。其中2.5万亿韩元将投向位于Hwasung-si的17 Line工厂，预计今年二季度早些时候将额外增加1.8万片晶圆/月的10nm产能——现在10nm的产能是2.5万片晶圆/月。

    去年10月三星已宣布量产新一代10nm LPE工艺了，使用该工艺的处理器包括高通的骁龙835以及三星自家的Exynos 8895，但是10nm工艺的产能、良率目前依然存在问题，导致其使用骁龙835处理器的旗舰机或延期上市。本次投资被视为三星为解决这一问题而加大投资，扩充产能。

    目前三星生产移动处理器最先进的工艺是14nm FinFET，下一代则是10nm FinFET，也有LPE低功耗及LPP高性能之分，不过LPP工艺要等到今年下半年才会量产，首先量产的是10nm LPE工艺。根据三星所说，新工艺下的SoC性能可以提升27%，功耗将降低40%。

    FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于25nm。未来预期可以进一步缩小至9nm，约是人类头发宽度的万分之一。由于在这种导体技术上的突破，未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。

    最早使用10nm工艺的处理器是高通骁龙835，这款处理器也将是2017年各大手机厂商新旗舰必备的硬件配置，但是因为10nm工艺的产能、良率问题困扰，骁龙835以及三星自家的Exynos 8895量产时间都比前代芯片晚一些。2月的MWC展会上，LG发布的G6手机就只能使用骁龙821处理器，等不及骁龙835了，索尼虽然抢先首发了骁龙835手机Xperia XZP，不过上市时间还没确定。